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三星电子官宣新一轮存储产能扩建计划，将在韩国京畿道器兴产业园区落地全新DRAM晶圆生产基地。这座新工厂规划月产能10万片晶圆，整体投资体量达到数十万亿韩元，全力加码存储芯片产能布局。
值得一提的是，该地块最初规划用途为研发中心，三星此次临时调整用地属性，转而建设规模化生产厂房，被业界视作针对性应对AI基建热潮的关键布局。伴随全球人工智能算力基础设施持续扩容，市场对高端存储芯片的需求持续暴涨，三星通过调整园区规划、新增产能，精准匹配市场增量需求。按照项目进度规划，这座新DRAM工厂最快有望在2026年第三季度启动施工，该扩产利好也直接带动三星电子股价大涨7%。
作为三星半导体版图中的核心地标，器兴园区有着举足轻重的行业地位。园区自1983年正式投产运营，是韩国本土运营年限最久的半导体生产基地之一，更是三星半导体业务的发展起点。1992年，三星在此成功研发出全球首款64Mb DRAM芯片，凭借技术突破站稳全球存储行业龙头地位。
现阶段，器兴园区主要承接成熟制程芯片的量产工作，工艺技术可覆盖至8纳米节点。园区此前已启动大型研发项目布局，2022年开工建设的NRD-K研发中心，占地面积约10.9万平方米，整体投入规模达20万亿韩元，预计2028年至2030年全面建成投用。该中心的专属研发产线已于2025年年中投入试运行，聚焦新一代存储器、系统半导体的技术迭代与新品研发。而本次新建的DRAM工厂为独立新增项目，选址位于研发中心之外的园区地块，主打规模化量产，与研发基地形成互补布局。
除器兴园区外，三星电子正多点同步推进半导体产能扩张，全方位夯实行业产能优势。其中平泽超级园区是公司HBM高端存储芯片的核心生产基地，同时企业在全罗南道光州落地两座先进晶圆工厂，合计投资高达400万亿韩元。此外，三星还计划提速龙仁半导体集群建设，将片区首座晶圆厂的投产时间提前至2029年。
在高端HBM赛道，三星正全力追赶行业竞争对手SK海力士。目前SK海力士凭借早期与英伟达达成的供应链合作，占据市场先发优势。为此，三星持续加码产线升级，已在平泽P4工厂搭建全新量产产线，专门用于第六代HBM4产品的规模化生产，单月晶圆产能同样可达10万片，全力争夺高端AI存储芯片市场份额。